Южнокорейский лидер в производстве микросхем памяти NAND в лице SK hynix оповестил пользователей об очередном прорыве: он перешёл к массовому производству микросхем флеш-памяти 3D NAND QLC с 321 слоем, чем не может похвастаться ни одна другая компания.
Для того чтобы такое количество слоёв работало нормально, инженерам пришлось увеличить количество слоёв независимых операционных блоков с 4 до 6. Увеличение этих слоёв, а также общего количества слоёв позволило повысить скорость записи на 56%, скорость чтения — на 18% и энергоэффективность — на 23%. Изначально такая память будет предлагать объём 2 Тбита или 256 Гбайт.
Сначала SK hynix внедрит 321-слойную память 3D NAND QLC в клиентские твердотельные накопители, затем перейдёт на корпоративные модели и UFS для смартфонов. Несмотря на начало массового производства, первые партии будут доступны только избранным партнёрам, в то время как глобальная доступность ожидается после клиентской проверки в первой половине следующего года.
«С началом массового производства мы значительно расширили наш ассортимент высокопроизводительных продуктов и обеспечили конкурентоспособность по затратам. Мы совершим серьёзный скачок вперед как поставщик памяти для искусственного интеллекта с полным стеком в соответствии со взрывным ростом спроса на искусственный интеллект и требованиями к высокой производительности на рынке центров обработки данных».