Представители южнокорейской компании Samsung приняли участие в конференции ISSCC 2025, где продемонстрировали новое поколение микросхем памяти V-NAND. Оно способно вмещать свыше 400 активных слоёв, что позволяет заметно опережать конкурентов, чьи разработки пока ограничиваются чуть более чем 300 слоями.
Для достижения столь впечатляющего результата инженеры Samsung перешли на технологию Cell-on-Peripheral с гибридным подключением периферийной схемы. Этот подход подразумевает отделение рядных декодеров, сенсорных усилителей, буферов, генераторов напряжения и цепей ввода-вывода на отдельный слой, который затем объединяется с основными активными слоями памяти.
Такое решение позволило увеличить скорость работы 10-го поколения V-NAND до 5.6 Гбит/с. Однако плотность выросла не столь значительно и слегка уступает 9-му поколению V-NAND на основе микросхем QLC, где этот показатель достигает 28.5 Гбит/мм². Новинка же, основанная на V-NAND TLC, демонстрирует плотность 28 Гбит/мм².
Что касается объёма, одна микросхема или пакет V-NAND нового поколения рассчитана на хранение до 2 Тбайт данных. Большинство твердотельных накопителей использует четыре таких пакета, что обеспечивает до 8 Тбайт при одностороннем расположении памяти и до 16 Тбайт при двухстороннем размещении.