Samsung является одной из самых передовых компаний по выпуску современных микросхем памяти NAND, однако разработка QLC NAND V9, похоже, происходит не самым лучшим образом, на что указывают сразу два источника в лицах TrendForce и ZDNet.
Если их слова верны, то у южнокорейской компании есть «фундаментальные конструктивные проблемы, которые вызвали проблему с производительностью», присутствующие в первых партиях нового поколения памяти, из-за чего её полноценный запуск отложен до первого полугодия 2026 года.
И хотя Samsung, без сомнения, одна из лучших компаний в мире по производству NAND, проблема с запуском нового поколения QLC NAND V9 мешает ей удерживать лидерство конкретно с этим видом памяти, ведь её конкуренты, такие как южнокорейская SK hynix и японская KIOXIA, продемонстрировали свою QLC NAND с 321 и даже 332 слоями, в то время как Samsung ограничивается лишь 280-слойным дизайном, применимым в случае NAND V9.