Samsung оповестила пользователей о начале массового производства своего передового твердотельного накопителя PM9E1, основанного на контроллере собственной разработки с восемью каналами PCI Express 5.0 и микросхемах памяти V-NAND восьмого поколения.
Компания специально акцентирует внимание на контроллере, так как он изготавливается по 5-нм технологическому процессу, потребляет меньше конкурентов и выделяет значительно меньше тепла, поэтому для его охлаждения не понадобится активное охлаждение.
Накопитель будет доступен с объемом 512 Гбайт, 1/2/4 Тбайта, будет предлагать скорость последовательного чтения и записи до 14.5/13 Гбайт/с, а его применение в портативных устройствах увеличит время автономной работы более чем на 50% по сравнению с конкурентными накопителями, основанными на этом же поколении интерфейса PCI Express.