Пока пользователи всё ещё не слишком активно переходят на стандарт оперативной памяти DDR5, делая это лишь из-за необходимости при покупке новой системы, крупные компании активно работают над следующим поколением DDR6, разработка которого была серьёзно ускорена.
По сообщению Ctee, производители микросхем памяти DRAM, включая Samsung, SK hynix и Micron, якобы ускорили разработку нового стандарта, благодаря чему тестирование и верификация завершатся ближе к концу этого года, а первое применение ожидается в 2027 году с выходом нового поколения серверов на базе новых процессоров и ускорителей.
Характеристики DDR6 будут включать в себя базовую скорость работы 8800 MT/s, что на приличные 83% больше текущей базы DDR5 на уровне 4800 MT/s, в то время как максимальная скорость, соответствующая стандарту JEDEC без учёта разгона от производителя конкретного модуля оперативной памяти, будет достигать 17 600 MT/s. Помимо повышения скорости работы, ожидается новая архитектура, предлагающая четыре 24-битных канала вместо двух 32-битных у DDR5.
Важный нюанс заключается в том, что якобы для DDR6 потребуется новая конструкция слота на материнской плате, чтобы сигнал был стабильным и с низким импедансом. Для этого производители могут рассмотреть переход на CAMM2 вместо традиционных модулей UDIMM.