TSMC не только раскрыла подробности технологической нормы N2, но и рассказала, что её разработка идет куда лучше прошлых узлов производства. Это можно заметить в случае сравнения плотности дефектов, демонстрирующей серьезное улучшение по сравнению с N7, N5 и N3.
До массового производства по 2-нм техпроцессу TSMC, основанному на новом типе транзисторов GAAFET вместо проверенного годами FinFET, осталось два квартала, и, несмотря на это, он уже демонстрирует себя куда лучше всех прошлых узлов, так как у него плотность дефектов уже ниже самого удачного в этом плане N5 и куда ниже по сравнению с N3.
Выявить проблемы при использовании нового технологического процесса можно за счет производства микросхем на его основе, но для этого необходимо иметь достаточное количество заказов, чтобы создавать разные по строению и функционалу кристаллы. Судя по всему, у TSMC очень много заказов даже в случае рискового производства, раз у неё получается так быстро решать проблему с дефектами.