Полупроводниковые компании не упускают возможности выступить на конференции ISSCC 2025, делясь с заинтересованными пользователями подробностями о разработке своих перспективных продуктов. К примеру, Intel ранее представила сведения о технологическом процессе 18A, обещающем значительное улучшение плотности SRAM, тогда как Samsung анонсировала скорое начало производства новой памяти LPDDR5-Ultra-Pro с впечатляюще высокой скоростью работы.
Сотрудники южнокорейской компании сообщили, что им удалось создать усовершенствованную версию LPDDR5x, получившую название LPDDR5-Ultra-Pro. Она демонстрирует скорость работы на уровне 12.7 Гбит/с, в то время как предыдущее поколение достигало лишь 10.7 Гбит/с. Для достижения такого прироста производительности специалистам пришлось сосредоточиться на двух ключевых аспектах: внедрении четырёхфазной самокалибровки и оптимизации выравнивания приёмопередатчика с подключением к переменному току.
Новые микросхемы производятся по 10-нм технологическому процессу DRAM пятого поколения, функционируют с напряжением 1.05 В и обладают объёмом 2 Гбайта. Более того, LPDDR5-Ultra-Pro способна работать на скорости 10.7 Гбит/с при сниженном напряжении 0.9 В. Пока Samsung не уточняет, когда именно эти передовые микросхемы памяти поступят в массовое производство.