Современные ускорители высокопроизводительных вычислений полагаются на стеки памяти HBM, обеспечивающие высокую пропускную способность в угоду скорости работы. Такой подход позволяет достичь наивысшей производительности при работе с искусственным интеллектом, однако без минусов не обошлось: они заключаются в сложной упаковке, очень высоком энергопотреблении и сильном нагреве.
Intel и SoftBank решили попробовать решить обе проблемы, для чего объединились и создали Saimemory – компанию, опирающуюся на технологии Intel и патенты японских академических институтов, включая престижный Токийский университет. Это должно помочь в создании энергоэффективной альтернативы HBM с такой же высокой пропускной способностью.
На данный момент предполагается создание памяти путём склеивания более распространённой DRAM с высокой скоростью работы и низким потреблением, но узкой шириной шины. Если удастся разработать метод увеличения ширины шины, у производителей HBM могут появиться серьёзные проблемы.