Samsung представила V-NAND TLC 10-го поколения с более чем 400 слоями
Представители южнокорейской компании Samsung приняли участие в конференции ISSCC 2025, где продемонстрировали новое поколение микросхем памяти V-NAND. Оно способно вмещать свыше 400 активных слоёв, что позволяет заметно опережать конкурентов, чьи разработки пока ограничиваются чуть более чем 300 слоями. Для достижения столь впечатляющего результата инженеры Samsung перешли на технологию Cell-on-Peripheral с гибридным подключением периферийной схемы. Этот …