Samsung, SK hynix и Micron начали разработку оперативной памяти DDR6

До сих пор не все желающие перешли на передовой стандарт оперативной памяти DDR5. Многие пользователи по-прежнему отдают предпочтение DDR4, обеспечивающей схожую или даже идентичную производительность в зависимости от конкретной задачи при более низкой цене, особенно на фоне дефицита.

Samsung, SK hynix и Micron начали разработку оперативной памяти DDR6

Несмотря на это, ключевые производители в лицах Samsung, SK hynix и Micron якобы уже взялись за разработку стандарта следующего поколения DDR6, о чём сообщает ресурс The ELEC. На данный момент полноценного стандарта JEDEC, регулирующего характеристики памяти, нет, поэтому они могут ориентироваться лишь на предварительные сведения о толщине памяти, структуре подложки и трассировке дорожек. Делается это для подготовки к созданию тестовых образцов, чтобы освоение DDR6 на момент запуска происходило быстрее.

«Как правило, компании, производящие память, и производители подложек начинают совместную разработку более чем за два года до запуска продукта. Начальная разработка DDR6 началась совсем недавно».

Samsung, SK hynix и Micron начали разработку оперативной памяти DDR6

По предварительным данным, следующее поколение оперативной памяти сможет предложить существенный рост скорости работы, который, как ожидается, достигнет 17 600 MT/s. Массовое производство DDR6 ожидается примерно в 2028-2029 годах.

Источник