Пока поставки памяти из Южной Кореи стремительно дорожают, американский производитель в лице Micron объявил о следующем этапе разработки передовых модулей оперативной памяти для серверного сегмента.
Компания подтвердила начало тестирования RDIMM DDR5 со скоростью работы 9200 MT/s и объёмом 256 Гбайт, предлагающей более чем 40% рост производительности по сравнению с решением 6400 MT/s, а также такое же улучшение энергоэффективности по сравнению с двумя модулями по 128 Гбайт каждый, потребляющими в сумме 19.4 Вт против 11.1 Вт у новинки.
Память производится по технологическому процессу 1-гамма и полагается на технологию 3D-стекирования с применением сквозных кремниевых соединений, что позволяет повысить объём путём наложения DRAM друг на друга. Тестирование проводится на серверах партнёров, причём проверка идёт как на текущих решениях, так и на будущих.
«Компания Micron сотрудничает с ключевыми участниками экосистемы для проверки совместимости модулей памяти DDR5 RDIMM объёмом 256 Гбайт с технологической нормой 1-gamma с их текущими и будущими серверными платформами. Эта совместная проверка обеспечивает широкую совместимость платформ и ускоряет внедрение в производство для клиентов центров обработки данных, создающих масштабируемую инфраструктуру для ИИ и высокопроизводительных вычислений».