2-нм техпроцесс от TSMC предложит серьезные улучшения плотности SRAM
Современные производители полупроводников столкнулись с проблемой масштабирования памяти SRAM внутри кристаллов, из-за чего мы можем наблюдать повышение плотности размещения транзисторов в случае логики, но занимаемая памятью площадь не меняется и с каждым техпроцессом занимает все больше места. К счастью для проектировщиков полупроводников, 2-нм технологический процесс от TSMC сможет предложить существенное улучшение масштабирования SRAM, повысив плотность …