Компания Micron перешла к активной фазе тестирования своих передовых микросхем оперативной памяти DDR5, разработанных с использованием новейшего 10-нм технологического узла шестого поколения 1γ. Он отличается от предыдущих поколений благодаря применению слоёв с EUV-литографией, что позволяет улучшить характеристики, ускорить производство и снизить затраты.
На текущий момент эти микросхемы используются для создания модулей DDR5, демонстрирующих скорость работы до 9200 MT/s при стандартном для отрасли напряжении 1.1 В. По сути, переход на EUV-литографию и новый техпроцесс обеспечил увеличение плотности битов на 30%, а также повысил энергоэффективность на 20%. Объём каждой микросхемы составляет 16 Гбит, что эквивалентно 2 Гбайтам.
Пока Micron проводит тестирование новой памяти, планируя завершить этот процесс во второй половине текущего года. Изначально такие модули будут применяться в DIMM для персональных компьютеров, а впоследствии найдут своё место в мобильных устройствах и серверном сегменте.